電気電子工学科・福田研究室が最新の研究成果を国際会議で招待講演

福田研究室が、山梨大学・佐藤研究室、弘前大学・岡本研究室と
共同で研究を進めている原子層堆積法に関する最新の研究成果を、
1月29日から30日にかけて仙台で開催された国際会議
8th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics“において、
招待講演として発表しました。

発表論文

Formation mechanism of aluminum germanate layer on germanium substrate by radical-enhanced atomic layer deposition

H. Okamoto, T. Yokohira, K. Yanachi, C. Yamamoto, B. Yoo, J. Yamanaka,
T. Sato, T. Takamatsu, H. Narita, and Y. Fukuda