電子材料・エレクトロニクス
福田 幸夫教授の紹介
福田 幸夫教授
(Yukio FUKUDA)
研究テーマ
- ・I-Vカーブ簡易取得システムによる太陽電池の故障診断機能
- ・高誘電率薄膜材料の作製と評価
- ・光電子分光法を用いたヘテロ界面構造の研究
研究キーワード
・半導体薄膜材料 ・超薄膜形成技術 ・ヘテロ界面制御
研究概略
IT社会を持続的に発展させていくためには、地球規模での低消費電力化の取り組みが必要です。当研究室では、IT進展の原動力である半導体集積回路の高速化・低消費電力化に対して、材料の面から貢献できるよう研究を進めてます。具体的には、現在使われているシリコン半導体に比べて、より一層の高速化・低消費電力化の可能性を秘めたゲルマニウム半導体を用いた集積回路に関する研究です。ゲルマニウム集積回路を実現する上で必須となる要素技術の中から、重要なテーマを選定し研究を進めています。
詳細内容
半導体集積回路のトランジスタを構成する重要な薄膜材料としてゲート絶縁膜があります。厚さにして2~3ナノメートル(1nm = 10-9m)の絶縁膜は1cmあたり1千万ボルトの高圧下にさらされます。福田研究室では図に示すALD(Atomic Layer Deposition)法という方法で原子を1層1層堆積することにより、高絶縁耐圧・高誘電率の優れた超薄膜の形成法に関する研究を進めています。

研究室の風景





